Samsung udvikler tre Z-NAND-varianter til AI-infrastruktur

Samsung udvikler tre specialiserede varianter af Z-NAND-hukommelse: Z-NAND-O, Z-NAND-T og Z-NAND-I. Hver variant er målrettet forskellige arbejdsbelastninger i AI-infrastruktur.

ZDNet rapporterede om arbejdet og bemærkede en model af Z-NAND-O, der blev vist ved en amerikansk branchebegivenhed for hukommelse i august. Den oprindelige artikel blev publiceret 12. oktober 2026 og krediterede Min-jun Kim.

Z-NAND-O anvender gennem-silicium-forbindelser (TSV) til at stable NAND-chips lodret i fire eller otte lag. Samsung oplyser, at Z-NAND-O skal forbedre dataoverførselshastigheder og energieffektivitet til AI direkte på enheden, eksempelvis i mobiltelefoner og andre forbundne enheder.

Z-NAND-T har fokus på gennemløb og båndbredde og er rettet mod højtydende AI-datacentre, der skal kunne flytte store datamængder effektivt.

Z-NAND-I prioriterer input/output-operationer pr. sekund, som angiver, hvor mange individuelle læse- og skriveoperationer hukommelsen kan håndtere.

Samsung har endnu ikke officielt annonceret den fulde produktlinje, specifikationerne eller lanceringsplanerne for de tre varianter.

Den tredelte tilgang tyder på, at Samsung vil skræddersy NAND-teknologien til specifikke AI-arbejdsbelastninger frem for at satse på ét enkelt design.

SK Hynix følger en lignende strategi med AI-NAND-familien AIN P til ydeevne, AIN D til lagringstæthed og AIN B til båndbredde.

I takt med at AI-infrastrukturen vokser, kan specialtilpasset NAND få stadig større betydning ved siden af konventionel hukommelse og lagring.